В Качестве Mosfet Драйвер

Вот там выше товарищ правильно заметил, что при выходе из строя IGBT-инвертора, Вы замените в нем ВСЕ (!) ключи, а при выходе из строя MOSFET-инвертора, Вы замените их максимум два (например, САИ-200). Кто-то скажет: 'Так, в современных IGBT-инвертора, обычно всего два IGBT-транзистора'.

• 5.5.1 Быстродействующие драйверы, управляющие mosfet. Драйверы транзисторов преобразователей.
• Простой ZVS-драйвер на MOSFET. «ZVS-драйвер» (Zero Voltage Switching) — очень простой и поэтому довольно распространенный низковольтный генератор. Он собирается по несложной схеме, при этом эффективность данного решения может достигать 90% и выше. Для сборки устройства достаточно одного дросселя, пары полевых транзисторов, четырех резисторов, двух диодов, двух стабилитронов, и рабочего колебательного контура со средней точкой на катушке. Можно обойтись и без средней точки, и об этом поговорим далее. Вариант с двумя дросселями особенно удобен в качестве резонансного источника питания нагревательных индукторов без средней точки.
• Jan 31, 2017 - включение MOSFET в качестве ключа. Из-за того, что в открытом. Микросхемы-драйверы MOSFET транзисторов. Также возможно.

В качестве полупроводниковых ключей для автономного инвертора применяются igbt-транзисторы.

Это верно, НО не всегда. В НЕОНАХ и им подобным их от 6 до 10.

В BlueWeld-ах их от от 2 до 4, но там вместе с силовыми диодами вылетает весь драйвер. В 'гусях' и Awelko их от 6 до 8 в этом случае ремонт вообще проблемматичен (а для гуся это МОГИЛА в полном смысле слова). В Asea летят IGBT-модули. Их стоимость от 2500 руб за штуку (нужен один).

Но, тем не менее весь мир переходит на IGBT - это дешевле для производителя. Дешевле по комплектации и по технлогии. Основная разница в том, что с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500.600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество. Но при относительно низких напряжениях питания, где-то до 200.250В, потери меньше у mosfet. А вот в диапазоне 300.400В (тут как раз инверторы с однофазным питанием) типо пограничная зона, явных преимуществ нет ни у кого.

Из неявных: при прочих примерно равных у igbt меньше входная ёмкость - проще управлять, и для изготовления igbt ключа нужен кристалл меньшей площади, из-за чего они чуть дешевле (если где-то за них ломят цену - это не иначе просто проделки розничных продаванов). Ну и к тому же технология mosfet уже почти исчерпала все теоретические возможности для улучшательства, а igbt сейчас развиваются гораздо живее. Kep, падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.

Bvale, цены - вапроц нежный. HGTG30N60A4D по 11 евро в каталоге Фарнелл - вряд ли это потолок, думаю можно найти и по 20, но это долго искать.

Проще найти места, где они вполне доступны по 5-6 евро. На 'митинском радиорынке' в г. Москва (вторая сцылка) попасть на левак гораздо проще, чем во многих других местах, но при ценах типо всего 40 рублей за некий 'Mosfet K2837' ряды потерпевшых вряд ли когда поредеют. А тошибовский мосфет 2SK2837 не на митинском рынке стоит где-то 3 евро.

Но чтобы на токе 20А у них статические потери были не больше, чем у одного HGTG30N60A4D, этих 2SK2837 нада 3-4 штуки параллельно, смотря для какой температуры кристалла. Вот и считайте. Чукча: Основная разница в том, что с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500.600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество. Но при относительно низких напряжениях питания, где-то до 200.250В, потери меньше у mosfet. А вот в диапазоне 300.400В (тут как раз инверторы с однофазным питанием) типо пограничная зона.

Kep, падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet. Хочу согласиться с этим мнением. Внесу небольшую лепту в ваш диалог. Я не особый электронщик, но по опыту производства наших сварочных аппаратов (а они у нас на мосфете) и общения с разработчиками хочу добавить, что еще отличие в 'переключении ключей'. В диапазоне работы 300-400В Igbt происходит 'жесткое переключении ключей', на мосфет более 'мягкое'. Это сказывается на долговечности транзисторов.

Ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы. А на igbt - с небольшим 'затуханием'. Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь. Я извиняюсь, мож и не совсем корректно объяснил или не так сказал, поправьте. А про перспективу мосфета. Ну, что знаю, эту модельку евм.

Руководство по ремонту рено кенго. Собрание руководств по ремонту, эксплуатации и обслуживанию Рено Кангу с 1997 по настоящее время. Найдено близко 60 инструкций: видео, статьи,. Руководство на русском языке по эксплуатации и ремонту автомобилей Nissan Kubistar и Renault Kangoo с 1997 года выпуска с бензиновыми.

В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг. На замену Торус 255. Только нужно ли это кому-нить? Так, для источника тока, мощного и легкого. Возможно и будет.

Валери2001: Хочу согласиться с этим мнением. А на igbt - с небольшим 'затуханием'. Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем.

Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь. Иногда это называют эффектом 'хвоста' IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе. Частотный диапазон IGBT как правило уже чем у полевых транзисторов. По крайней мере пока. Вместе с тем, как уже было отмечено выше, при обеспечении равных статических потерь IGBT выйдет дешевле. Валери2001: В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг.

Где доказательства на прогоне? (Часа 3-5) И не надо меня лечить,типа форсажа,горстарта и антистика там нет. Вы хотя бы знаете как это всё грамотно должно быть реализовано? (расчитано на тупого сварного наверно))))) На вэбсварке в видео всё показали.

Графики-цЫфры,ВАХ чтобы все видели!!! (на вашем стенде) Слабо? Торус как сварка так себе.(варил 200 и 200С),выпрямители и то варят лучше. А уж запредельные токи и ПВ на 'самопале' сделать не сложно.

Валери2001: Т.е. Ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы.

А на igbt - с небольшим 'затуханием'. Не факт, мяхко говоря, потому что: 1) у mosfet по сравнению с igbt при прочих примерно равных в несколько раз больше входная ёмкость, и далеко не каждый драйвер ключа сможет перезарядить такую ёмкость достаточно быстро; 2) igbt последних поколений вообще практисски не уступают mosfet в плане 'резче'. Валери2001: Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.

То ли вы не так поняли, то ли разрабы ваши что-то не то вам рассказали. 'хвост' при закрывании igbt имел место быть только у самого первого поколения igbt, ну может ещё частично у второго. Сейчас они уже восьмого поколения, если не больше.

X-men: Иногда это называют эффектом 'хвоста' IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе. Эта проблема неактуальна уже минимум как лет 15, а скорее 20, см. Просто на такие киловольты и килоамперы, на которых IGBT работают, MOSFET-ы пока еще не изобрели и не придумали. А в сварочных инверторах они их постепенно вытесняют, зато в низковольтных инверторах, где большой ток, мосфет пока незаменим. Да и вообще быстро зарядить и разрядить затворную емкость мощного мосфет-а можно только двухтактным драйвером, управляемым противофазными сигналами, когда один полевик драйвера быстро заряжает емкость, а другой закорачивает затвор на массу и быстро сбрасывает заряд.

Никакие резюки и кондюки сделать этого не смогут. Нищеброд: Возможно, я что-то не понял. В этой ссылке, на которую сослался Валери2001, идёт обсуждение ЕВМ 180 и НЕОН 180. Там указано, что Неон на МОСФЕТ-ах, что не так. Вот выдержка из текста - 'трансформатор типа «тор» на феррите намотан с запасом по мощности медной намоточной многожильной проволокой; установлены мощные полевые транзисторы MOSFET; схема инвертора работает на частоте до 30 000 Гц.'

' После этого верить таким проверяльщикам аппаратов весьма проблематично. На сварочные свойства аппаратов, структура транзисторов никак не влияет, что я уже не раз говорил.